理解供电厂与用电设备模型

作者:黄金赌城 发布时间:2020-11-19 15:24

  ●供电厂提供的为交流电,也就是说,供电厂提供的能量是呈现出正弦形式的波动的,而不是一直持续不变的功率。

  ●由前面的图可以看到,消耗的功率=U*I,电阻消耗的总是正功,而电容和电感却不是,一会正功,一会负功,也就是说,电感和电容一会从供电厂吸取能量,一会向供电厂提供能量。

  ●在这个储能放能的过程中,能量都被消耗在了供电线上了,用电设备由于没有消耗能量,供电厂不能收取电费,但供电厂依然需要架设对应的供电设备,并且不停的提供能量。

  ●二极管形成的整流电路,加上电容,用来产生直流输出,这是一种很常见的结构,只有在AC电压比电容电压高时,二极管才能导通,此时才有电流,为了提供整个周期的功率,在此范围内必须有很大的电流,也就是说,AC源必须在短短的时间内提供够用很长一端时间的能量给设备。

  ★由于供电厂只能产生正弦形式的功率输出,为了达到这个目的,供电厂必须建设远超出正常消耗的供电设备,以维持用电设备的用电。

  02     理解PF和THD    ●为了描述这种电容电感导致的,电流和电压不同步的情况,引入功率因数的定义。 ●用电流和电压的相位角之差的余弦值作为功率因数。 ★PF大还是小比较好?

  总谐波失真(THD)  ●非正弦的周期波形能够拆分成傅里叶级数,这样就得到了该周期波形的基波和各次谐波。 ●用总谐波失真来表示各次谐波的大小,在供电领域,谐波的大小特指流的大小。 ★THD大还是小比较好。

  ●供电厂产生的电流波形是基波的正弦,而其他高次谐波的波形是供电厂无法产生的,因此供电厂必须使出额外的力气来产生所有的高次谐波,因此THD实际上描述了供电厂必须具备的额外供电能力,或者说做的无效功。

  ●谐波失真的其他危害还表现在产生了一些高频的信号,这些信号会干扰其他设备,这个干扰可以通过线路传导,也可以通过辐射传播,线路传导称为RFI,辐射传播称为EMI。

  ●谐波失真描述的是一堆正弦信号,或者说交流信号,交流信号讲究的是有效值,因此必须使用方和根来计算,其公式如下:

  ★第二步,比值求和,理论上H可以取到无穷大,但实际应用中,H不会取很大,一般几十就足够精确了;

  谐波失真的图形表示  ●总谐波失真代表了供电能力的浪费,而高次谐波的幅度则代表了电磁干扰的强度,因此通常还会使用图标来表示谐波失真,这样可以比较形象的看出谐波失真的电磁干扰危害程度。

  ●这个不是偶然,在电力领域,谈到谐波失真,都不需要考虑偶次谐波,只考虑奇次谐波,因为偶次谐波分量可以忽略。

  ●偶次谐波分量为0的原因在于电流波形总是呈现正负对称的形式,这种对称波形称为奇谐波形,其偶次分量为0,其分析如下:

  考虑THD后的PF  ●真实应用中,设备往往同时包含电容/电感和有源器件,因此电流波形既表现出和电压正弦的相位差,又表现出非正弦特性,如下图,此时,功率因素的定义为:

  ●现在可以看到,对用电设备的友好性可以用PF来衡量,很多时候PF和THD是存在关系的,THD越大,PF越低,但THD小不意味着PF高,还要考虑电流相位的影响。 ●THD既要小,同时还要在高频处的谐波分量尽量的小,以减少干扰。                                         03     PPFC原理及实现思路

  ●PF低的原因有2个,电容或电感引起的电流相位偏移,有源器件引起的波形失真。

  ★增加补偿电路,比如负载为电容,就在供电线路上加入电感,这种方法称为无源PFC,常用于只有相位偏移的场合;

  ★对于开关电源来说,主要的问题是波形失真,因此不能采用无源PFC,只能采用其他方法,这些方法统称为有源PFC。

  --有时候,将无源PFC也归为被动式,这样PFC分P和A两类,P又包括无源和有源两种。

  PPFC电路  ●使用一种称为逐流电路的结构可以提高开关电源的PF值。 ★注意逐流电路的连接,当VDC比2个电容电压加起来还高时,逐流电路充电,当VDC比2个电容电压并联的电压低时,逐流电路放电,当VDC介于两者之间时,逐流电路既不放电也不充电。 ★两个电容完全相同,因此电容的电压总是会自动保持相等。

  ●假如没有逐流电路,当VACVDC时,二极管才导通,加上逐流电路后,当VAC小于两个电容电压之和时,二极管依然导通,直到VAC小于电容电压,这无形中延长了二极管导通的时间。

  ★假设VAC为220V,VDC稳定在200V,那么无逐流电路时,只有VAC>

  200V,二极管才导通,有逐流电路时,VAC>

  100V,二极管就导通。

  ●从前面的分析可以看到,逐流电路是通过二极管环向,使得电容是串联充电,并联放电,串联时数量为2,因此充放电区间的电压落差为2倍。

  ●如果希望提高逐流电路的PFC效果,可以将电压落差加大,增加到3,甚至4。

  ●开关电源的波形失真的罪魁祸首是整流桥后面的电容,使用逐流电路后可以缓解这个问题,但不能根除,而主动式PFC能够根除这个问题。

  ★光让电流持续还不够,还必须让整流桥后面的部分看起来像一个电阻,使得电流是随着输入电压的变化而变化的。

  APFC的形式  ●开关电源是通过开关切换来间歇式的将能量传递过去,因此不可能使瞬时电流呈现出一个连续平滑的正弦波形,只能使平均电流波形呈现出正弦波形。 ★一共有3种形式的电流波形,对应3种模式CCM,BCM(CRM),DCM。

  电流平滑  ●开关电源只能制造锯齿形的电流,而PFC要求较平滑的电流,否则电流THD会很大,因此,需要在输入端加一个电流低通滤波电路。 ★电流滤波使用电感和电容,电感对电流进行平滑,而电容储存能量,应付PFC过程中的电流突变。

  3种模式的对比  ●这三种模式,其本质上的区分是流过电感的电流。 ★CCM,电感电流是连续的; ★BCM,电感电流不连续,但不会持续为0; ★DCM,电感电流有持续为0的时候。 ●从电源功率来说:CCM>

  BCM>

  DCM。 ★理论上来说,高功率的也可以用于低功率,但CCM的控制环路存在巨大缺陷,无法做到高切换频率,因此在小功率段通常是不使用CCM的。

  ★Boost拓扑在整个周期内都有输入电流,平均电流正好是包络电流的1/2,而对于其他拓扑,只有在TON时间内,输入电流才有,Toff时间内输入电流为0,这样就导致平均电流和峰值电流并不是一个固定的比例关系。

  Boost实现BCM的方法  ●电路需要得到2个时间点,当前周期的TON结束和当前周期的TOFF结束的时刻。 ★当前周期的TON结束由电流峰值比较器来检测,而TOFF的结束由过零比较器来检测。

  导通时间的问题  ●仔细观察BCM,可以看到导通时间貌似是恒定的,这个不是故意画得一样,而是有原因的   ●电感上的电流可以用如下公式来表示:

  ●这个公式可以看到,电感上的电流直线上升,上升斜率取决于输入电压,而上升的终点同样取决于输入电压,这样就导致导通时间最终和输入电压无关了。

  ●前面的分析可知,Boost实现PFC后,导通时间变成恒定了,那么反过来,一上来就将导通时间设成恒定,是不是也能实现PFC,答案是肯定的。

  ★固定导通时间是目前非常主流的PFC技术,适合用数字控制,计数器产生固定宽度的正脉冲,每次过零比较器检测到退磁点,便产生一个正脉冲。

  ●很多电源都有稳压的需求,所谓稳压实际上就是调整电源传递的能量,对于固定导通时间来说,调整峰值电流的包络线就可以调整平均电流,也就调整了输入功率,进而调整了输出电压。

  ★因为输入电压为AC,总是不变的,因此电感上电流斜率是不变的,缩放包络线后,相当于改变了峰值电流比较器的阈值,电感上的电流三角波会变化,包络线越矮,平均电流越小,输出功率越低,TON时间越短,开关的切换频率越高。

  输出稳压的方法  ●由前面的分析可知,要调整输出电压,只需要调整TON即可,因此将输出电压反馈回来,调整TON即可。

  ●BCM的特点是输出功率越低,切换频率越高,如果电源本身需要在较大的输出功率内切换,比如调光,需要在1%-100%之内切换,开关管的切换频率也需要接近100倍的变化范围。

  ★这么大的变化范围是无法实现的,无论是MOS还是电感,都不可能在这么大的切换频率内始终保持最优工作状态。

  ●如果需要降低输入电流,可以不调整TON ,但是在每个切换周期后面增加等待时间,输入电流降低越多,等待时间越长,在TON不变的情况下,输入电流越低,频率越低。

  ★如果调整范围不大的话,加入死区等待就足够了,如果调整范围大的话,可以结合死区等待和包络线调整,或者以一个为主,另一个为辅,比如以包络线为主,死区等待为辅,或者使用两个技术实现更精细的调整。

  --数字控制的方式,TON的最小调整粒度为1个TCLK ,而引入死区等待(补偿)后,最下调整粒度可以高于一个TCLK。

  ●同时使用调节TON和TDEAD后,控制算法会变得复杂,一种算法思路如下:

  ★以TON为主来调节输出功率,通过TON调节包络线的高度,TDEAD存在完全是为了调节频率,这样就得到了2种方法:

  ●从开发难度来说,一次调一个参数肯定比一次调多个参数要简单,但一次调多个参数可以实现更丰富的算法,比如对参数进加权,就可以实现不同的曲线效果,甚至可以做到自始至终切换频率不变。

  ★注意到两个参数的曲线总是不同趋势的, TON增加,切换频率降低,而TDEAD 减少,切换频率升高,因此理论上可以做到切换频率不变。

  ●在BCM情况下,平均电流天然就是正弦,而引入死区等待后,变成DCM,平均电流不再能天然正弦,这个时候需要使用数字算法来均衡每个周期的TDEAD,使平均电流依然既能保持正弦形状。

  ●前面分析过,Boost相比其他拓扑的优势在于 TON和 TON都有输入电流,但引入死区时间后,TDEAD还是没有电流,此时Boost相比其他拓扑的优势实际上没有了,因此可以使用任何拓扑来实现PFC。

  ●前面都是通过调节输出电压来调整输出功率,但很多应用中是通过调节输出电流来调整输出功率的,这就给PFC带来了很大的一个难题。

  ★稳压和稳流最大的不同,在于稳压只需要保证很长一段时间内平均输出电压恒定即可,而目前的稳流技术则需要使得每个切换周期的电流都保持恒定。

  --为什么电压可以看一段时间平均电压,因为负载端都带有大电容,这个电容上的电压就是一段时间内的平均电压,将这个电压采样反馈到输入,就可以调节平均电压。

  --而电流则不行,目前没有方法能让每个周期电流都变化,而平均电流在一段时间内保持恒定,因为没有办法来采样一段时间内的平均电流。

  ●PFC要求电流为正弦状,也就是每个周期都不一样,而恒流要求电流每个周期都一样,这样就形成了一对不可调和的矛盾。

  ●目前没有看到有很好的方法能够简单的同时提高PF和恒流精度,已知的几种方法如下:

  ★采样2级方案,第一级为Boost,实现高PF,第二级实现恒流,这样就避开了两者的冲突,但缺点是成本高;

  ★采用切分周期的方法,将一个AC周期分成多个时间段,一些时间做PFC,另一些时间做恒流,如下图所示,这样可以单级实现,但效果相比2级就要差一些了。

  ●对于大功率,成本不敏感的场合来说,使用2级方案是很合适的,但对于成本敏感的场合,就需要下很大的功夫来进行优化了。

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  HMC404 GaAs MMIC次谐波IRM混频器芯片,26 - 33 GHz

  和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 镜像抑制: 22 dB 小尺寸: 1.90 x 1.25 mm 产品详情 HMC404芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC镜像抑制混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为2.31mm²。 片内90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能,镜像抑制大于22 dB。 LO放大器采用单偏置(+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 应用 26至33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC798A 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次谐波SMT混频器

  和特点 单正电源:5 V (97 mA) 转换损耗:10 dB(典型值,24 GHz至30 GHz时),10.5 dB(典型值,30 GHz至34 GHz时)(上变频器) 输入IP3:17.5 dBm(典型值,24 GHz至30 GHz时),20 dBm(典型值,30 GHz至34 GHz时)(上变频器) 2 × LO至RF隔离:36 dB(典型值,30 GHz至34 GHz时) 宽IF带宽:DC至4 GHz LO驱动电平:4 dBm输入 次谐波2 × LO 符合RoHS标准的24引脚、3.90 mm × 3.90 mm、LCC陶瓷封装 产品详情 HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次谐波(×2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无铅LCC封装。HMC798ALC4可用作频率范围为24 GHz至34 GHz的上变频器或下变频器。 在24 GHz至30 GHz和30 GHz至34 GHz频率范围内,2 × LO至射频(RF)隔离通常分别为30 dB和36 dB,无需额外滤波。LO放大器采用单偏置(5 V dc)设计,通常需要4 dBm的LO驱动电平。HMC798ALC4无需线焊,可以使用表贴(SMT)制造技术。应用 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电 测试设备 点对点无线电 卫星通信(SATCOM) 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指...

  HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,33 - 42 GHz

  和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 37 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.81 0.1 mm 产品详情 HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC337 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,17 - 25 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 25 dB 芯片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统方框图...

  HMC338LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,24 - 34 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO DC - 3 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 单正电源: +4V (31mA) 产品详情 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V到+4V)设计,需-5 dBm的标称驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至3 GHz。 HMC338LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 SATCOM方框图...

  HMC-MDB218 次谐波I/Q混频器/IRM芯片,54 - 64 GHz

  和特点 宽IF带宽: DC - 3 GHz RF频率: 54至64 GHz LO频率 27至32 GHz 高镜像抑制: 30 dB 无源;无需直流偏置 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 卫星通信 军用雷达、ECM和EW 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 40 dB 小尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC264芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 高输入IP3: 13 dBm 高LO/RF隔离: 30 dB 高2LO/RF隔离: 50 dB 宽IF带宽: DC - 12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短途/高容量无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 E波段通信系统 汽车雷达 方框图...

  HMC264LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,21 - 31 GHz

  和特点 集成LO放大器:-4至+4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 30 dB DC - 6 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4至+4 dBm的驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至6 GHz。 HMC264LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 低LO功率: 9 dBm 高LO/RF隔离: 28 dB 高2LO/RF隔离: 43 dB 宽IF带宽: DC至12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC1058是一款次谐波MMIC混频器。 它可用作上变频器或下变频器,IF端口频率范围为DC至12 GHz,RF端口频率范围为71 GHz至86 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 E波段通信系统 测试设备和传感器 军用最终用途 汽车雷达 方框图...

  HMC264LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 30 GHz

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 35 dB LM3 SMT封装产品详情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC264LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和30 GHz微波无线电 上下变频器 点对点无线电 LMDS和SATCOM 方框图...

  HMC338-DIE GaAs MMIC次谐波混频器芯片,26 - 33 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 33 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC通用混频器,可在26至33 GHz的频率范围中用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 通用应用 26和33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 集成IF放大器: 增益:3 dB 小尺寸: 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、更可靠的极佳替代品。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  HMC1093 GaAs MMIC次谐波混频器,37 - 46.5 GHz

  和特点 次谐波 (x4) LO 低LO功率: -1 dBm 高4LO/RF隔离: 20 dB 宽IF带宽: DC至7.5 GHz 下变频应用 裸片尺寸: 1.45 X 3.85 X 0.1 mm 产品详情 HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次谐波 (x4) MMIC混频器。 HMC1093芯片非常适合用作下变频器,RF端口为37至46.5 GHz,IF端口范围为DC至7.5 GHz。 HMC1093利用GaAs PHEMT技术,提供20 dB的4LO至RF出色隔离性能,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V)两级设计,所需LO功率仅为-1 dBm。 RF和LO端口为隔直端口并匹配至50 Ohms,使用方便。 此处显示的所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线 GHz微波无线电 军用最终用途方框图...

  和特点 高精度;支持IEC 62053-21、IEC 62053-22、IEC 62053-23、EN 50470-1、EN 50470-3、ANSI C12.20和IEEE1459标准 支持IEC 61000-4-7 I类和II类精度规格 兼容三相三线或三相四线(三角形或星形)及其它三相配置 测量所有相位上2.8 KHz通带范围内所有谐波的rms/有功/无功/视在功率、功率因数、THD+N和谐波失真 测量零线 KHz通带范围内所有谐波的有效值和谐波失线的动态范围内谐波电流和电压有效值、谐波有功和无功功率的误差小于1% 测量各相及整个系统的总(基波和谐波)有功/视在功率和基波有功/无功功率 TA = 25°C时,在1000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.1% TA = 25°C时,在5000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.2% 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADE7880是一款高精度、三相电能计量IC,采用串行接口,并提供三路灵活的脉冲输出。该器件内置多个二阶Σ-Δ型模数转换器(ADC)、数字积分器、基准电压源电路及所有必需的信号处理电路,实现总(基波和谐波)有功/视在功率测量和有效值计算,以及基波有功/无功功率测量。此外,ADE7880可...

  HMC265LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 31 GHz

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时,2LO至RF和IF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...

  HMC892A 3.45 GHz 至 6.25 GHz 可调谐带通滤波器

  和特点 幅度稳定时间:200 ns出色的宽带抑制:≥30 dB机械调谐设计的单芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装 产品详情 HMC892ALP5E 是一款可调谐的带通滤波器,具有用户可选的通带频率3 dB 滤波器带宽约为 8.7%。20 dB 滤波器带宽约为 23.8%。通过施加 0 V 至 14 V 的模拟调谐电压,可以使中心频率在 3.45 GHz 至 6.25 GHz 之间变化。这款可调谐滤波器可用作外形较大的开关滤波器组和腔调谐滤波器的较小替代方案。由于采用单片设计,HMC892ALP5E 具有出色的颤噪效应,可在高级通信应用中提供动态可调的解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战 (EW)/电子对抗 (ECM) 卫星通信 (SATCOM) 和航空航天 工业设备和医疗器械 方框图...

  和特点 幅度稳定时间:200 ns 出色的宽带抑制:≥30 dB 机械调谐设计的单芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装 产品详情 HMC890ALP5E 是一款单片微波集成电路 (MMIC) 带通滤波器,具有用户可选的通带频率3 dB 滤波器带宽约为 10%。≥20 dB 滤波器带宽约为 30%。通过施加 0 V 至 14 V 的模拟调谐电压,可以使中心频率在 1.0 GHz 至 1.9 GHz 之间变化。这款可调谐滤波器可用作外形较大的开关滤波器组和腔调谐滤波器的小得多的替代方案。由于采用单片设计,HMC890ALP5E 具有出色的颤噪效应,可在高级通信应用中提供动态可调的解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战/电子对抗 卫星通信和航空航天 工业设备和医疗器械 方框图...


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